PHT11N06LT,135

NXP(恩智浦) 分立器件

SC-73 N-CH 55V 10.7A

N-Channel 55V 4.9A Ta 1.8W Ta, 8.3W Tc Surface Mount SOT-223

得捷:
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 10.7A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 10.7A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 10.7A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R

PHT11N06LT,135中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 10.7A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

额定功率Max 8.3 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta, 8.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHT11N06LT,135引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PHT11N06LT,135	NXP 恩智浦	SC-73 N-CH 55V 10.7A	搜索库存

替代型号PHT11N06LT,135

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PHT11N06LT,135 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-223 N-CH 55V 10.7A	当前型号	SC-73 N-CH 55V 10.7A	当前型号
型号： PHT8N06LT,135 品牌：恩智浦封装： TO-261AA N-Channel 55V 7.5A	类似代替	Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4Pin3+Tab SC-73 T/R	PHT11N06LT,135和PHT8N06LT,135的区别
型号： IRFL4105PBF 品牌：英飞凌封装： REEL N-Channel 55V 5.2A	功能相似	INFINEON IRFL4105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V	PHT11N06LT,135和IRFL4105PBF的区别
型号： NIF5003NT1G 品牌：安森美封装： SOT-223 N-Channel 42V 14A 53mohms	功能相似	自我保护FET的温度和电流限制 Self−Protected FET with Temperature and Current Limit	PHT11N06LT,135和NIF5003NT1G的区别