PHM21NQ15T,518
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHM21NQ15T,518中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 62.5W Tc
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 22.2A
输入电容Ciss 2080pF @25VVds
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 HVSON-8
外形尺寸
封装 HVSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHM21NQ15T,518引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHM21NQ15T,518 | NXP 恩智浦 | HVSON N-CH 150V 22.2A | 搜索库存 |
替代型号PHM21NQ15T,518
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHM21NQ15T,518 品牌： NXP 恩智浦 封装： HVSON N-CH 150V 22.2A | 当前型号 | HVSON N-CH 150V 22.2A | 当前型号 |
| 型号： PHM21NQ15T 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FET | PHM21NQ15T,518和PHM21NQ15T的区别 |