PHB11N06LT,118

NXP(恩智浦) 分立器件

D2PAK N-CH 55V 10.3A

表面贴装型 N 通道 55 V 10.3A（Tc） 33W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

贸泽:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 10.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

PHB11N06LT,118中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 130 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 33 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 10.3A

上升时间 64 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 9.4 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHB11N06LT,118引脚图与封装图

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