PMN34LN,135
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMN34LN,135中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 34 mΩ
耗散功率 1.75 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 500pF @20VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-457-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMN34LN,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMN34LN,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMN34LN,135 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |