PHD34NQ10T,118

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 100V 35A Tc 136W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

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MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

PHD34NQ10T,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 1704pF @25VVds

额定功率Max 136 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHD34NQ10T,118引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PHD34NQ10T,118	NXP 恩智浦	Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin2+Tab DPAK T/R	搜索库存

替代型号PHD34NQ10T,118

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PHD34NQ10T,118 品牌： NXP 恩智浦封装： DPak	当前型号	Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin2+Tab DPAK T/R	当前型号
型号： PHD34NQ10T 品牌：恩智浦封装：	类似代替	N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor	PHD34NQ10T,118和PHD34NQ10T的区别
型号： AOD464 品牌：万代半导体封装： DPAK N-CH 105V 40A	功能相似	105V,40A,N沟道MOSFET	PHD34NQ10T,118和AOD464的区别
型号： IRFR3411TRPBF 品牌：国际整流器封装： TO-252-3 N-Channel 100V 32A	功能相似	MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg	PHD34NQ10T,118和IRFR3411TRPBF的区别