PHM25NQ10T,518

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 30.7A 8Pin HVSON T/R

N-Channel 100V 30.7A Tc 62.5W Tc Surface Mount 8-HVSON 6x5

得捷:
MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 30.7A 8-Pin HVSON T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

PHM25NQ10T,518中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 62.5W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 1800pF @20VVds

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 HVSON-8

外形尺寸

封装 HVSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHM25NQ10T,518引脚图与封装图

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PHM25NQ10T,518	NXP 恩智浦	Trans MOSFET N-CH 100V 30.7A 8Pin HVSON T/R	搜索库存

替代型号PHM25NQ10T,518

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PHM25NQ10T,518 品牌： NXP 恩智浦封装： 8-HVSON	当前型号	Trans MOSFET N-CH 100V 30.7A 8Pin HVSON T/R	当前型号
型号： PSMN017-60YS 品牌：恩智浦封装： SOT-669 N-Channel 60V 44A	功能相似	NXP PSMN017-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 12.3 mohm, 10 V, 3 V	PHM25NQ10T,518和PSMN017-60YS的区别
型号： PSMN3R3-40YS 品牌：恩智浦封装： SOT-669 N-Channel 40V 100A	功能相似	NXP PSMN3R3-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V	PHM25NQ10T,518和PSMN3R3-40YS的区别
型号： PH1955L,115 品牌：恩智浦封装： LFPAK N-Channel 55V 40A	功能相似	LFPAK N-CH 55V 40A	PHM25NQ10T,518和PH1955L,115的区别