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PTFA191001EV4XWSA1

PTFA191001EV4XWSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36248

RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 1.96GHz 17dB 44dBm H-36248-2


得捷:
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36248


Win Source:
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2


PTFA191001EV4XWSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 1.96 GHz

额定电流 10 μA

输出功率 44 dBm

增益 17 dB

测试电流 900 mA

额定电压 65 V

封装参数

封装 H-36248-2

外形尺寸

封装 H-36248-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA191001EV4XWSA1引脚图与封装图
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