
额定电压DC 15.0 V
额定电流 200 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PN2369 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 15V 200mA | 当前型号 | NPN开关晶体管 NPN Switching Transistor | 当前型号 | |
型号: BC184C 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 500mA 350mW | 功能相似 | 硅NPN小信号晶体管 Silicon NPN Small Signal Transistor | PN2369和BC184C的区别 | |
型号: BC212L 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 Dual P-Channel -50V -300mA 350mW | 功能相似 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | PN2369和BC212L的区别 | |
型号: BC308 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 -25V -100mA | 功能相似 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | PN2369和BC308的区别 |