PN4917
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
PN4917中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 150 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
PN4917引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PN4917
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PN4917 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 -30V -50mA | 当前型号 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： PN4917LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-92 PNP 30V 0.1A | PN4917和PN4917LEADFREE的区别 |
| 型号： PN4917TRE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 30V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | PN4917和PN4917TRE的区别 |
| 型号： PN4917TRELEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 30V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | PN4917和PN4917TRELEADFREE的区别 |