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PN200A_J18Z

PN200A_J18Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
PN200A_J18Z中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PN200A_J18Z引脚图与封装图
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在线购买PN200A_J18Z
型号 制造商 描述 购买
PN200A_J18Z Fairchild 飞兆/仙童 Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk 搜索库存
替代型号PN200A_J18Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PN200A_J18Z

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP

当前型号

Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk

当前型号

型号: PN200A

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -45V -500mA 625mW

完全替代

PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

PN200A_J18Z和PN200A的区别