PTVA127002EVV1XWSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
PTVA127002EVV1XWSA1中文资料参数规格
技术参数
上升时间 5 ns
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 5
封装 H-36275-4
外形尺寸
高度 4.58 mm
封装 H-36275-4
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PTVA127002EVV1XWSA1引脚图与封装图
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在线购买PTVA127002EVV1XWSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PTVA127002EVV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDH1V | 搜索库存 |
替代型号PTVA127002EVV1XWSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PTVA127002EVV1XWSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： H-36275-4 | 当前型号 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDH1V | 当前型号 |
| 型号： PTVA127002EVV1R0XTMA1 品牌： 英飞凌 封装： H-36275-4 | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 105V 5Pin Case 36275 T/R | PTVA127002EVV1XWSA1和PTVA127002EVV1R0XTMA1的区别 |
| 型号： PTVA127002EV-V1-R0 品牌： Wolfspeed 封装： | 功能相似 | IC AMP RF LDMOS H-36275-4 | PTVA127002EVV1XWSA1和PTVA127002EV-V1-R0的区别 |