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PXAC261212FCV1XWSA1

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数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin Case H-37248 Tray

Summary of Features:

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Broadband internal matching
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Asymmetric design 

\- Main = 50 W P1dB

\- Peak = 75 W P1dB

\- Efficiency = 57%

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CW performance in Doherty configuration, 2635 MHz, 28 V

\- Output power at P1dB = 107 W

\- Gain = 14.4 dB

\- Efficiency = 57%

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Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1C per JESD22-A114
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Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 120 W CW output power
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Low thermal resistance
PXAC261212FCV1XWSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 2.69 GHz

输出功率 28 W

增益 15 dB

测试电流 280 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 H-37248-4

外形尺寸

封装 H-37248-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PXAC261212FCV1XWSA1引脚图与封装图
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