PTFA190451EV4XWSA1

Infineon(英飞凌) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36265 Tray

RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 1.96GHz 17.5dB 11W H-36265-2

得捷:
IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36265 Tray

Win Source:
IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2

PTFA190451EV4XWSA1中文资料参数规格

技术参数

频率 1.96 GHz

额定电流 10 μA

输出功率 11 W

增益 17.5 dB

测试电流 450 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 192000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 H-36265-2

外形尺寸

封装 H-36265-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA190451EV4XWSA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买PTFA190451EV4XWSA1

型号	制造商	描述	购买
PTFA190451EV4XWSA1	Infineon 英飞凌	Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36265 Tray	搜索库存