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PTFA190451FV4XWSA1

PTFA190451FV4XWSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 37265 Tray

RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 1.96GHz 17.5dB 11W H-37265-2


得捷:
IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 37265 Tray


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin H-37265-2 Tray


PTFA190451FV4XWSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 1.96 GHz

输出功率 11 W

增益 17.5 dB

测试电流 450 mA

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 H-37265-2

外形尺寸

封装 H-37265-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA190451FV4XWSA1引脚图与封装图
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PTFA190451FV4XWSA1 Infineon 英飞凌 Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 37265 Tray 搜索库存