PSMN004-36B,118
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PSMN004-36B,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 230W Tc
漏源极电压Vds 36 V
连续漏极电流Ids 75A
输入电容Ciss 6000pF @20VVds
耗散功率Max 230W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN004-36B,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN004-36B,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN004-36B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 36V 75A | 搜索库存 |
替代型号PSMN004-36B,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN004-36B,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： D2PAK N-CH 36V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 36V 75A | 当前型号 |
| 型号： PSMN004-36B 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor | PSMN004-36B,118和PSMN004-36B的区别 |
| 型号： 6874 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET General Purpose Power | PSMN004-36B,118和6874的区别 |