PT4800F

Sharp(夏普) 探测器

Phototransistor Chip 860nm 2Pin Thin Type

Phototransistors 860nm Side View Radial

得捷:
SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW RAD

艾睿:
Phototransistor Chip 860nm 2-Pin Thin Type

Chip1Stop:
Phototransistor Chip 860nm 2-Pin Thin Type

AMEYA360:
PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE

PT4800F中文资料参数规格

技术参数

输出电流 ≤20.0 mA

波长 860 nm

视角 70°

上升时间 3.00 µs

击穿电压集电极-发射极 35 V

额定功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Radial

外形尺寸

封装 Radial

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

PT4800F引脚图与封装图

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