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PT4800FB
Sharp(夏普) 探测器

Phototransistor Chip Silicon 860nm 2Pin

Phototransistors 860nm Side View Radial


得捷:
SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW RAD


AMEYA360:
PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE


PT4800FB中文资料参数规格
技术参数

波长 860 nm

视角 70°

峰值波长 860 nm

耗散功率 75 mW

上升时间 3.00 µs

击穿电压集电极-发射极 35 V

额定功率Max 75 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 Radial

外形尺寸

高度 3.5 mm

封装 Radial

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

PT4800FB引脚图与封装图
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