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P6SMB75CA-M3/52

P6SMB75CA-M3/52

数据手册.pdf

Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2Pin SMB T/R

103V Clamp 5.8A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 64.1V 103V DO214AA


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2-Pin SMB T/R


安富利:
600W,75V 5%,BIDIR,SMB TVS


P6SMB75CA-M3/52中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 71.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

P6SMB75CA-M3/52引脚图与封装图
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P6SMB75CA-M3/52 Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号P6SMB75CA-M3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P6SMB75CA-M3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装:

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: P6SMB75CA-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB75CA-M3/52和P6SMB75CA-E3/52的区别

型号: P6SMB75CA-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB75CA-M3/52和P6SMB75CA-E3/5B的区别

型号: P6SMB75CAHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 64.1V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB75CA-M3/52和P6SMB75CAHE3/52的区别