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P6SMB6.8CAHE3/52

P6SMB6.8CAHE3/52

数据手册.pdf
P6SMB6.8CAHE3/52中文资料参数规格
技术参数

工作电压 5.8 V

击穿电压 6.45 V

钳位电压 10.5 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 6.45 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

P6SMB6.8CAHE3/52引脚图与封装图
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P6SMB6.8CAHE3/52 Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号P6SMB6.8CAHE3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P6SMB6.8CAHE3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: P6SMB6.8CA-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

600 W SMB 封装 6.8 V 双向 SMD 瞬态电压抑制二极管

P6SMB6.8CAHE3/52和P6SMB6.8CA-E3/5B的区别

型号: P6SMB6.8CA-M3/5B

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB6.8CAHE3/52和P6SMB6.8CA-M3/5B的区别

型号: P6SMB6.8CA-M3/52

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB6.8CAHE3/52和P6SMB6.8CA-M3/52的区别