PT334-6C中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 15000 ns
波长 940 nm
峰值波长 860 nm
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
下降时间 15 µs
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 6 mm
高度 8.6 mm
封装 T-1
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PT334-6C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PT334-6C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PT334-6C 品牌： Everlight Electronics 亿光 封装： | 当前型号 | 红外接收管 PT334-6C DIP | 当前型号 |
| 型号： PT333-3C 品牌： 亿光 封装： | 类似代替 | PT333 系列 940 nm 30 V 75 mW 透明 通孔 光电晶体管 - T-1 | PT334-6C和PT333-3C的区别 |
| 型号： PT331C 品牌： 亿光 封装： | 类似代替 | Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2Pin T-1 3/4 | PT334-6C和PT331C的区别 |