PH2625L,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PH2625L,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 4308pF @12VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 30 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PH2625L,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PH2625L,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH2625L,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 25V 100A | 搜索库存 |
替代型号PH2625L,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PH2625L,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 25V 100A | 当前型号 | LFPAK N-CH 25V 100A | 当前型号 |
| 型号： PH2525L 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | PH2625L,115和PH2525L的区别 |
| 型号： HAT2168H-EL-E 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK 30V 55A 5.18nF | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PH2625L,115和HAT2168H-EL-E的区别 |
| 型号： HAT2165H-EL-E 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK N-CH 30V 55A | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PH2625L,115和HAT2165H-EL-E的区别 |