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P6SMB18AHE3/52

P6SMB18AHE3/52

数据手册.pdf

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 18V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

Surface Mount TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors

**FEATURES**

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Available in uni-directional and bi-directional

• 600 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs waveform, repetitive rate duty cycle: 0.01 %

• Excellent clamping capability

• Very fast response time

• Low incremental surge resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

**TYPICAL APPLICATIONS**

Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial and telecommunication.

P6SMB18AHE3/52中文资料参数规格
技术参数

工作电压 15.3 V

击穿电压 17.1 V

耗散功率 600 W

钳位电压 25.2 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 17.1 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

P6SMB18AHE3/52引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
P6SMB18AHE3/52 Vishay Semiconductor 威世 ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 18V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified 搜索库存
替代型号P6SMB18AHE3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P6SMB18AHE3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 18V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

当前型号

型号: P6SMB18AHE3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 18V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

P6SMB18AHE3/52和P6SMB18AHE3/5B的区别

型号: P6SMB18A-M3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214AA-2

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,18V 5%,UNIDIR,SMB TVS

P6SMB18AHE3/52和P6SMB18A-M3/5B的区别

型号: P6SMB18A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

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