P4SMA130AHE3/5A中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 124 V
耗散功率 400 W
钳位电压 179 V
脉冲峰值功率 300 W
最小反向击穿电压 124 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AC
外形尺寸
封装 DO-214AC
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P4SMA130AHE3/5A引脚图与封装图
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在线购买P4SMA130AHE3/5A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P4SMA130AHE3/5A | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 111V 400W 2Pin SMA T/R | 搜索库存 |
替代型号P4SMA130AHE3/5A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P4SMA130AHE3/5A 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 111V 400W 2Pin SMA T/R | 当前型号 |
| 型号： P4SMA130A-E3/61 品牌： 威世 封装： DO-214AC | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 111V 400W 2Pin SMA T/R | P4SMA130AHE3/5A和P4SMA130A-E3/61的区别 |
| 型号： P4SMA130A-E3/5A 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 111V 400W 2Pin SMA T/R | P4SMA130AHE3/5A和P4SMA130A-E3/5A的区别 |