
击穿电压 8.2 V
耗散功率 600 W
钳位电压 12.1 V
测试电流 10 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 7.79 V
击穿电压 7.79 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
封装 DO-214AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

P6SMB8.2CA引脚图

P6SMB8.2CA封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
P6SMB8.2CA | Littelfuse 力特 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: P6SMB8.2CA 品牌: Littelfuse 力特 封装: DO-214 | 当前型号 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | 当前型号 | |
型号: P6SMBJ8.2CA 品牌: 力特 封装: DO-214AA 82V 600W | 完全替代 | 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors | P6SMB8.2CA和P6SMBJ8.2CA的区别 | |
型号: P6SMB8.2CA-E3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214 | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 7.02V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB8.2CA和P6SMB8.2CA-E3/5B的区别 | |
型号: SMBJ7V0CA 品牌: 台湾半导体 封装: | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN | P6SMB8.2CA和SMBJ7V0CA的区别 |