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P6SMB100CA-E3/5B

P6SMB100CA-E3/5B

数据手册.pdf

Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2Pin SMB T/R

137V Clamp 4.4A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 85.5V 137V DO214AA


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2-Pin SMB T/R


安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2-Pin SMB T/R


P6SMB100CA-E3/5B中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 95 V

钳位电压 137 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 95 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

P6SMB100CA-E3/5B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
P6SMB100CA-E3/5B Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P6SMB100CA-E3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: P6SMB100CAHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB100CA-E3/5B和P6SMB100CAHE3/52的区别

型号: SM6T100CA-M3/52

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB100CA-E3/5B和SM6T100CA-M3/52的区别

型号: P6SMB100CA-M3/52

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 85.5V 600W 2Pin SMB T/R

P6SMB100CA-E3/5B和P6SMB100CA-M3/52的区别