P6SMB12CA-E3/52中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 11.4 V
钳位电压 16.7 V
最大反向击穿电压 12.6 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 11.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.57 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P6SMB12CA-E3/52引脚图与封装图
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在线购买P6SMB12CA-E3/52
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB12CA-E3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 10.2V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号P6SMB12CA-E3/52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB12CA-E3/52 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 10.2V 600W 2Pin SMB T/R | 当前型号 |
| 型号： P6SMB12CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 10.2V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB12CA-E3/52和P6SMB12CAHE3/52的区别 |
| 型号： P6SMB12CA-M3/5B 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 10.2V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB12CA-E3/52和P6SMB12CA-M3/5B的区别 |