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P6SMB68AT3G

P6SMB68AT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  P6SMB68AT3G  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 58.1 V, 92 V, DO-214AA, 2 引脚

92V Clamp 6.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount 425-TEPBGA I 19x19


得捷:
ZEN SMB TVS 600W 68V TR


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  P6SMB68AT3G  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 58.1 V, 92 V, DO-214AA, 2 引脚


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 58.1V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 58.1V 600W 2-Pin SMB T/R


富昌:
P6SMB 系列 71.4 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 58.1V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 58.1V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  P6SMB68AT3G  TVS Diode, P6SMB Series, Unidirectional, 58.1 V, 92 V, DO-214AA, 2 Pins


Win Source:
TVS DIODE 58.1VWM 92VC SMB


P6SMB68AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.80 V

工作电压 58.1 V

额定电流 57.0 A

电容 305 pF

额定功率 600 W

击穿电压 68 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 3.00 W

钳位电压 92 V

最大反向电压(Vrrm) 58.1V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 71.4 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 64.6 V

击穿电压 64.6 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.32 mm

宽度 3.56 mm

高度 2.2 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

P6SMB68AT3G引脚图与封装图
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在线购买P6SMB68AT3G
型号 制造商 描述 购买
P6SMB68AT3G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  P6SMB68AT3G  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 58.1 V, 92 V, DO-214AA, 2 引脚 搜索库存
替代型号P6SMB68AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P6SMB68AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 6.8V 57A 600W

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  P6SMB68AT3G  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 58.1 V, 92 V, DO-214AA, 2 引脚

当前型号

型号: P6SMB68AT3

品牌: 安森美

封装: DO-214AA 6.8V 57A 600W

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