PESD5V0V1BCSF,315
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD5V0V1BCSF,315中文资料参数规格
技术参数
电容 6 pF
额定功率 8 W
击穿电压 10 V
钳位电压 12.8 V
脉冲峰值功率 8 W
最小反向击穿电压 6 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 XFDFN-2
外形尺寸
长度 0.6 mm
宽度 0.3 mm
高度 0.31 mm
封装 XFDFN-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PESD5V0V1BCSF,315引脚图与封装图
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在线购买PESD5V0V1BCSF,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD5V0V1BCSF,315 | NXP 恩智浦 | DIODE ESD ULT BI 5V SOD962 | 搜索库存 |
替代型号PESD5V0V1BCSF,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD5V0V1BCSF,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： 2-XFDFN | 当前型号 | DIODE ESD ULT BI 5V SOD962 | 当前型号 |