PSMN023-80LS,115

NXP(恩智浦) 分立器件

QFN N-CH 80V 34A

N-Channel 80V 34A Tc 65W Tc Surface Mount 8-DFN3333 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 8-Pin QFN EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 8-Pin QFN EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 8-Pin QFN EP T/R

PSMN023-80LS,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 65 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1295pF @40VVds

额定功率Max 65 W

下降时间 5.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN-8

外形尺寸

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PSMN023-80LS,115引脚图与封装图

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