PSMN1R9-25YLC,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
耗散功率 141 W
漏源极电压Vds 25 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 3504pF @12VVds
额定功率Max 141 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 141W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 Power-SO8
封装 Power-SO8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN1R9-25YLC,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |