PSMN013-30LL,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PSMN013-30LL,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 768pF @15VVds
额定功率Max 41 W
耗散功率Max 41W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VDFN-8
外形尺寸
封装 VDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN013-30LL,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN013-30LL,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN013-30LL,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin QFN EP T/R | 搜索库存 |
替代型号PSMN013-30LL,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN013-30LL,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK33 N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin QFN EP T/R | 当前型号 |
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