PHE13009/DG,127

NXP 恩智浦分立器件

Trans GP BJT NPN 400V 12A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 12 A - 80 W Through Hole TO-220AB

得捷:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Win Source:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO / Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB

PHE13009/DG,127中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 8 @5A, 5V

额定功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHE13009/DG,127引脚图与封装图

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PHE13009/DG,127	NXP 恩智浦	Trans GP BJT NPN 400V 12A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube	搜索库存