PMDPB28UN,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 265pF @10VVds
额定功率Max 510 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 510 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 uDFN-6
封装 uDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMDPB28UN,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6Pin DFN EP T/R | 搜索库存 |