PMDPB38UNE,115

NXP(恩智浦) 分立器件

DFN N-CH 20V 4A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 4A 510mW Surface Mount DFN2020-6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R

PMDPB38UNE,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 268pF @10VVds

额定功率Max 510 mW

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMDPB38UNE,115引脚图与封装图

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