PBLS2002S,115

NXP(恩智浦) 分立器件

SO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3A

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO

得捷:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/20V 100mA/3A Automotive 8-Pin SO T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/20V 100mA/3A Automotive 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/20V 100mA/3A Automotive 8-Pin SO T/R

Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

PBLS2002S,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 20V

集电极最大允许电流 100mA/3A

额定功率Max 1.5 W

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBLS2002S,115引脚图与封装图

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PBLS2002S,115	NXP 恩智浦	SO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3A	搜索库存