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PBSS4350SPN,115

PBSS4350SPN,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

PBSS4350SPN 系列 50 V 2.7 A NPN / PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOIC-8

Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO


得捷:
NOW NEXPERIA PBSS4350SPN - SMALL


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A 8-Pin SO T/R


富昌:
PBSS4350SPN 系列 50 V 2.7 A NPN / PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R


DeviceMart:
TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC


PBSS4350SPN,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 1.43 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2.7A

额定功率Max 750 mW

耗散功率Max 1430 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-96-1

外形尺寸

封装 SOT-96-1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBSS4350SPN,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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