PBSS4350SPN,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
极性 NPN+PNP
耗散功率 1.43 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2.7A
额定功率Max 750 mW
耗散功率Max 1430 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOT-96-1
封装 SOT-96-1
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS4350SPN,115 | NXP 恩智浦 | PBSS4350SPN 系列 50 V 2.7 A NPN / PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOIC-8 | 搜索库存 |