PBSS8510PA,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PBSS8510PA,115中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 2.1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 5.2A
最小电流放大倍数hFE 95 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 285
额定功率Max 2.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-3
外形尺寸
封装 SOT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS8510PA,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBSS8510PA,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS8510PA,115 | NXP 恩智浦 | HUSON3 NPN 100V 5.2A | 搜索库存 |