PMDPB95XNE,115

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 8Pin DFN2020 T/R

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 2.4A 475mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）

得捷:
SMALL SIGNAL MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin HUSON EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 8-Pin DFN2020 T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 / Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 2.4A 475mW Surface Mount 6-HUSON 2x2

PMDPB95XNE,115中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 143pF @15VVds

额定功率Max 475 mW

下降时间 6 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMDPB95XNE,115引脚图与封装图

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