PBSS303NX,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS303NX,115中文资料参数规格
技术参数
频率 130 MHz
极性 NPN
耗散功率 2.1 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 5.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @0.5A, 2V
额定功率Max 2.1 W
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS303NX,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS303NX,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS303NX,115 | NXP 恩智浦 | SOT-89 NPN 30V 5.1A | 搜索库存 |
替代型号PBSS303NX,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS303NX,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-243AA NPN 2100mW | 当前型号 | SOT-89 NPN 30V 5.1A | 当前型号 |
| 型号： PBSS303NX 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | 30 V ， 5.1 NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 30 V, 5.1 A NPN low VCEsat BISS transistor | PBSS303NX,115和PBSS303NX的区别 |