PMGD175XN,115

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6Pin TSSOP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 900mA 390mW Surface Mount 6-TSSOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin TSSOP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin TSSOP T/R

PMGD175XN,115中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 11.5 ns

输入电容Ciss 75pF @15VVds

额定功率Max 390 mW

下降时间 6 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMGD175XN,115引脚图与封装图

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