
极性 N-Channel
耗散功率 280 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.40 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 350pF @30VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PMV45EN,215 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PMV45EN,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT23 N-Channel 30V 5.4A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: PMV56XN,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 20V 3.76A | 类似代替 | NXP PMV56XN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV | PMV45EN,215和PMV56XN,215的区别 | |
型号: PMV60EN,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23-3 N-Channel 30V 4.7A | 类似代替 | TO-236AB N-CH 30V 4.7A | PMV45EN,215和PMV60EN,215的区别 | |
型号: PMV45EN2 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3Pin TO-236AB | PMV45EN,215和PMV45EN2的区别 |