锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PBSS5630PA,115

PBSS5630PA,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

HUSON3 PNP 30V 6A

Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 6 A 80MHz 2.1 W Surface Mount 3-HUSON 2x2


得捷:
NEXPERIA PBSS5630PA - SMALL SIGN


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


富昌:
PBSS5630PA 系列 30 V 6 A PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT1061


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


Win Source:
TRANS PNP 30V 6A SOT1061


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061


PBSS5630PA,115中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 190 @2A, 2V

额定功率Max 2.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-1061-3

外形尺寸

封装 SOT-1061-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBSS5630PA,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBSS5630PA,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS5630PA,115 NXP 恩智浦 HUSON3 PNP 30V 6A 搜索库存