PMP4501G,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PMP4501G,135中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-353-5
外形尺寸
封装 SOT-353-5
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMP4501G,135引脚图与封装图
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在线购买PMP4501G,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMP4501G,135 | NXP 恩智浦 | SOT-353 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号PMP4501G,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMP4501G,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： 5-TSSOP NPN 300mW | 当前型号 | SOT-353 NPN 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： PMP4501G 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN / NPN匹配的双晶体管 NPN/NPN matched double transistors | PMP4501G,135和PMP4501G的区别 |
| 型号： PMP4501G,115 品牌： 恩智浦 封装： 5-TSSOP NPN 300mW | 功能相似 | SOT-353 NPN 45V 0.1A | PMP4501G,135和PMP4501G,115的区别 |