PBLS4001V,115

NXP(恩智浦) 分立器件

SOT-666 NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666

得捷:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA 6-Pin SS-Mini T/R

Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

DeviceMart:
LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT666

PBLS4001V,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 40V

集电极最大允许电流 100mA/500mA

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBLS4001V,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PBLS4001V,115	NXP 恩智浦	SOT-666 NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA	搜索库存

替代型号PBLS4001V,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PBLS4001V,115 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-563 NPN PNP	当前型号	SOT-666 NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA	当前型号
型号： PBLS4001Y,115 品牌：恩智浦封装： 6-TSSOP NPN PNP 300mW	完全替代	TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA	PBLS4001V,115和PBLS4001Y,115的区别
型号： PBLS4001V 品牌：恩智浦封装：	类似代替	SOT-666 NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA	PBLS4001V,115和PBLS4001V的区别
型号： PBLS4001Y 品牌：恩智浦封装： SOT363 NPN+PNP	类似代替	TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA	PBLS4001V,115和PBLS4001Y的区别