PMZB420UN,315
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMZB420UN,315中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360mW Ta, 2.7W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 65pF @25VVds
耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN1006B-3
外形尺寸
封装 DFN1006B-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMZB420UN,315引脚图与封装图
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在线购买PMZB420UN,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMZB420UN,315 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3Pin DFN T/R | 搜索库存 |
替代型号PMZB420UN,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMZB420UN,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT883 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3Pin DFN T/R | 当前型号 |
| 型号： PMZB390UNEYL 品牌： 恩智浦 封装： SOT883 N-CH 30V 0.9A | 类似代替 | DFN-B N-CH 30V 0.9A | PMZB420UN,315和PMZB390UNEYL的区别 |