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PBLS4004V,115

PBLS4004V,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SOT-666 NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666


得捷:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666


DeviceMart:
LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT666


PBLS4004V,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 40V

集电极最大允许电流 100mA/500mA

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SS-Mini-6

外形尺寸

封装 SS-Mini-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBLS4004V,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PBLS4004V,115 NXP 恩智浦 SOT-666 NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA 搜索库存