PMN35EN,125
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMN35EN,125中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 334pF @15VVds
下降时间 24 ns
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-6
外形尺寸
封装 TSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMN35EN,125引脚图与封装图
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| PMN35EN,125 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |