PMV65UN,215

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3Pin TO-236AB T/R

表面贴装型 N 通道 2.2A（Ta） 310mW（Ta），2.17W（Tc） TO-236AB（SOT23）

得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin TO-236AB T/R

PMV65UN,215中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 310mW Ta, 2.17W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 183pF @10VVds

耗散功率Max 310mW Ta, 2.17W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMV65UN,215引脚图与封装图

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