PMV90EN,215

NXP(恩智浦) 分立器件

TO-236AB N-CH 30V 1.9A

表面贴装型 N 通道 1.9A（Ta） 310mW（Ta），2.09W（Tc） TO-236AB（SOT23）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin TO-236AB T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23

PMV90EN,215中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 310mW Ta, 2.09W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.9A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 132pF @15VVds

额定功率Max 310 mW

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310mW Ta, 2.09W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMV90EN,215引脚图与封装图

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