PBLS2001D,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBLS2001D,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 50V, 20V
集电极最大允许电流 100mA/1A
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 185 MHz
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBLS2001D,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBLS2001D,115 | NXP 恩智浦 | TSOP NPN+PNP 50V/20V 100mA/1A | 搜索库存 |